無液氦光譜學(xué)恒溫器Optistat Dry 為不同光譜學(xué)實驗優(yōu)化，包括紫外/可見光譜，拉曼光譜，F(xiàn)TIR，熒光，光致發(fā)光以及太赫茲等應(yīng)用。
TeslatronPT無液氦磁體系統(tǒng)提供頂部插桿式樣品更換機制和恒溫以及環(huán)境，zei高磁場可達18T，變溫范圍1.5K到300K；具有50mm直徑的樣品空間，使用戶有更大的實驗操作空間，增加了實驗的自由度;有多種選件可供后續(xù)升級，如zei低可達300mK的He3插桿Heliox、zei低可達25mK的kelvinoxJT等。
我們的設(shè)備和工藝已通過充分驗證，正常運轉(zhuǎn)時間可達90%以上，一旦設(shè)備安裝完畢，可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市場應(yīng)用廣，包括但不限于： MEMS和傳感器、光電子、分立元器件和納米技術(shù)。
超過3000點/秒的花樣標(biāo)定速率 · 30多倍速快于傳統(tǒng)的CCD技術(shù)的探測器 · 在低電流低電壓工作條件下分析極其敏銳 · 為高分辨EBSD應(yīng)用提供百萬像素分辨率 · 在任意速度下均可獲得高分辨率花樣（zei低156 x 128 像素） · 創(chuàng)新易用設(shè)計
SEM專用顆粒物分析系統(tǒng) — AZtecFeature
牛津儀器Ultim Extreme能譜探測器
Jupiter XR 是一款適合大樣品的原子力顯微鏡。通過它，用戶可以實現(xiàn)在一臺掃描儀上進行高速成像和大范圍掃描。
牛津Cypher VRS-全功能視頻級成像原子力顯微鏡
Dragonfly 核心功能是多點高速，高靈敏度共聚焦成像，其采集速度比普通點掃描共聚焦技術(shù)快至20倍。另外采用高分辨，高靈敏的，有效減少活細胞成像的光毒性及光漂白，同時也適合于固定樣品的高分辨快速三維成像。
X-Pulse 提升了臺式核磁共振波譜技術(shù)的靈活性。X-Pulse融匯了真正的寬頻X-核能力、流動化學(xué)、反應(yīng)監(jiān)測、變溫特性，同時具有高分辨率；利用X-Pulse，在您實驗室的工作臺上就可以完成各種實驗。
MQC+臺式分析儀可測量各種樣品中的油、水、氟和固體脂肪，通常用于品質(zhì)保證和質(zhì)量控制。
該設(shè)備是一個靈活和功能強大的等離子體刻蝕和淀積工藝設(shè)備。 采用真空進樣室進樣可進行快速的晶片更換、采用多種工藝氣體并擴大了允許的溫度范圍。 具有zei大的工藝靈活性，適用于化合物，光電子學(xué)，光子學(xué)，微機電系統(tǒng)和微流體技術(shù)
世界知名科學(xué)級相機和光譜儀制造商儀器Andor Technology，正式發(fā)布全新iKon-XL大靶面CCD相機，iKon-XL相機采用獨特的“ColdSpace”技術(shù)可以將背照式16.8M超大靶面，背照式CCD芯片（e2v）制冷到-100℃，無需液氮或者制冷機。iKon-XL可應(yīng)用于系外行星搜尋，大尺度巡天，測光，天文光譜，空間碎片追蹤，是理想的天文觀測相機。
儀器Andor作為全球領(lǐng)先的科研級相機和光譜方案供應(yīng)商，如今正式發(fā)布了我們?nèi)碌脑鰪娦蚷Kon-M 912背照式CCD相機，此產(chǎn)品具有極高的動態(tài)范圍和極低噪音。該相機采用了優(yōu)化的24μm 512x512像元芯片組，此相機像元具有極高的像素井深容量以及最大的光子搜集效率。
無液氦光譜學(xué)恒溫器OptistatTM Dry
儀器的5000系列側(cè)窗X射線管廣受歡迎且經(jīng)久耐用。5000系列的電子槍組件封裝在內(nèi)置鉛層的不銹鋼外殼中，且法蘭規(guī)格可選擇，目前已廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域。外殼內(nèi)填充了儀器專用的冷卻油，可以將散熱效果最大化。
牛津儀器Andor Zyla CMOS相機
為什么BEX技術(shù)正在重新定義成像標(biāo)準(zhǔn)？Unity BEX成像系統(tǒng)提供了快速、準(zhǔn)確、高分辨率的彩色成像技術(shù)解決方案。Unity探測器融背散射電子與X射線傳感器于一體，整體位于極靴正下方。這種獨特的設(shè)計使BSE及X射線成像得以...
PlasmaPro 100系列刻蝕和沉積設(shè)備可安裝多種襯底電極，能夠在很寬的溫度范圍內(nèi)進行工藝，具有200mm單晶圓和多晶圓批處理能力，該工藝模塊可提供具有高度均勻，高產(chǎn)量和高精度的工藝。
PlasmaPro 100系列刻蝕和沉積設(shè)備可安裝多種襯底電極，能夠在很寬的溫度范圍內(nèi)進行工藝，具有200mm單晶圓和多晶圓批處理能力，該工藝模塊可提供具有高度均勻，高產(chǎn)量和高精度的工藝。
PlasmaPro 100系列刻蝕和沉積設(shè)備可安裝多種襯底電極，能夠在很寬的溫度范圍內(nèi)進行工藝，具有200mm單晶圓和多晶圓批處理能力，該工藝模塊可提供具有高度均勻，高產(chǎn)量和高精度的工藝。
PlasmaPro 100系列刻蝕和沉積設(shè)備可安裝多種襯底電極，能夠在很寬的溫度范圍內(nèi)進行工藝，具有200mm單晶圓和多晶圓批處理能力，該工藝模塊可提供具有高度均勻，高產(chǎn)量和高精度的工藝。
