上世紀(jì)九十年代，隨著半導(dǎo)體工業(yè)的興起，對(duì)各種元器件尺寸，集成度等方面的要求越來越高，原子層沉積技術(shù)才迎來發(fā)展的黃金階段。進(jìn)入21世紀(jì)，隨著適應(yīng)各種制備需求的商品化ALD儀器的研制成功，無論在基礎(chǔ)研究還是實(shí)...

原子層沉積技術(shù)起源于上世紀(jì)六七十年代，由前蘇聯(lián)科學(xué)家Aleskovskii和Koltsov首次報(bào)道，隨后，基于電致發(fā)光薄膜平板顯示器對(duì)高質(zhì)量ZnS: Mn薄膜材料的需求，由芬蘭Suntalo博士發(fā)展并完善。OpAL系統(tǒng)是一種帶有等離子體...

所謂的原子層沉積技術(shù)，是指通過將氣相前驅(qū)體交替脈沖通入反應(yīng)室并在沉積基體表面發(fā)生氣固相化學(xué)吸附反應(yīng)形成薄膜的一種方法。OpAL系統(tǒng)是一種帶有等離子體選項(xiàng)的直開式熱原子層沉積（ALD）設(shè)備。 它可通過清晰而易行...

原子層沉積(atomiclayer deposition，ALD)技術(shù)，亦稱原子層外延(atomiclayer epitaxy，ALE）技術(shù)，是一種基于有序、表面自飽和反應(yīng)的化學(xué)氣相薄膜沉積技術(shù)。原子層沉積技術(shù)起源于上世紀(jì)六七十年代，由前蘇聯(lián)科學(xué)家Al...

 牛津儀器ALD OpAL原子層沉積系統(tǒng)OpAL系統(tǒng)是一種帶有等離子體選項(xiàng)的直開式熱原子層沉積（ALD）設(shè)備。 它可通過清晰而易行的途徑升級(jí)為等離子體 ALD，這樣便可在一個(gè)結(jié)構(gòu)緊湊的設(shè)備上實(shí)現(xiàn)等離子體和熱ALD。緊湊...

OpAL系統(tǒng)是一種帶有等離子體選項(xiàng)的直開式熱原子層沉積（ALD）設(shè)備。 它可通過清晰而易行的途徑升級(jí)為等離子體 ALD，這樣便可在一個(gè)結(jié)構(gòu)緊湊的設(shè)備上實(shí)現(xiàn)等離子體和熱ALD。緊湊型直開式熱原子層沉積（ALD）設(shè)備，帶有...