在遠(yuǎn)程PECVD工藝中，反應(yīng)氣體和任何惰性氣體的等離子體均是遠(yuǎn)程產(chǎn)生?；钚晕镔|(zhì)被提取并輸送到一個(gè)無等離子體的區(qū)域，在那里它們被混合并與其他反應(yīng)物發(fā)生反應(yīng)，形成前體分子。薄膜被沉積在無等離子體區(qū)域的加熱基片上。

System 100 -等離子刻蝕與沉積設(shè)備

該設(shè)備是一個(gè)靈活和功能強(qiáng)大的等離子體刻蝕和淀積工藝設(shè)備。 采用真空進(jìn)樣室進(jìn)樣可進(jìn)行快速的晶片更換、采用多種工藝氣體并擴(kuò)大了允許的溫度范圍。 

具有工藝靈活性，適用于化合物半導(dǎo)體，光電子學(xué)，光子學(xué)，微機(jī)電系統(tǒng)和微流體技術(shù)， PlasmalabSystem100可以有很多的配置，詳情如下。

主要特點(diǎn)

• 可處理8 "晶片，也具有小批量（6 × 2"）預(yù)制和試生產(chǎn)的能力

• 選擇單晶片/批處理或盒式進(jìn)樣，采用真空進(jìn)樣室。 該P(yáng)lasmalabSystem100可以集成到一個(gè)集群系統(tǒng)中，采用中央機(jī)械手傳送晶片，生產(chǎn)工藝中采用全片盒到片盒晶片傳送. 采用一系列的電極進(jìn)行襯底溫度控制，其溫度范圍為-150 ° C至700° C

• 用于終端檢測的激光干涉和/或光發(fā)射譜可安裝在Plasmalab System100以加強(qiáng)刻蝕控制

• 選的6 或12路氣箱為工藝流程和工藝氣體提供了選擇上的靈活性，并可以放置在遠(yuǎn)端，遠(yuǎn)離主要工藝設(shè)備

工藝

一些使用Plasmalab System100等離子刻蝕與沉積設(shè)備的例子：

• 低溫硅刻蝕，深硅刻蝕和SOI工藝，應(yīng)用于MEMS ，微流體技術(shù)和光子技術(shù)

• 用于激光器端面的III - V族刻蝕工藝，通過刻蝕孔、光子晶體和許多其他應(yīng)用，材料范圍廣泛（InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等）

•  GaN、AlGaN等的預(yù)生產(chǎn)和研發(fā)工藝，比如HBLED和其它功率器件的刻蝕

• 高品質(zhì)，高速率SiO2沉積，應(yīng)用于光子器件

• 金屬（Nb, W）刻蝕

   zei新的單晶片刻蝕技術(shù)-PlasmaPro100 Sapphire。牛津儀器致力于固態(tài)照明的技術(shù)革新，憑著在HBLED相關(guān)材料方面經(jīng)驗(yàn)豐富，設(shè)備使用成本控制和符合產(chǎn)量要求的同時(shí)，我們的新技術(shù)還可以zei大化地提高客戶的產(chǎn)品良率。

    針對(duì)HBLED茍刻的化學(xué)環(huán)境要求，PlasmaPro100 Sapphire具有特殊的設(shè)計(jì)，可以在直徑為200mm的晶片上進(jìn)行快速和均勻的刻蝕。牛津儀器一直努力地為客戶提供創(chuàng)新的、有效控制成本和可靠的工藝方案。這個(gè)zei新設(shè)計(jì)的設(shè)備滿足了所有的要求。

   主要特點(diǎn)和優(yōu)勢包括：具有獨(dú)家的靜電吸盤技術(shù)，能固定藍(lán)寶石，和生長藍(lán)寶石或硅上的氮化鎵；高功率的ICP能生產(chǎn)出高密度的等離子體；磁隔離區(qū)可提高離子控制和均勻性；高電導(dǎo)泵水系統(tǒng)可以在低壓下zei大化地運(yùn)送氣體。

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注：該產(chǎn)品未在中華人民共和國食品藥品監(jiān)督管理部門申請(qǐng)醫(yī)療器械注冊和備案，不可用于臨床診斷或治療等相關(guān)用途。