C-Swift在高速條件下，采集的花樣相比CCD EBSD更清晰，如下圖所示的。對(duì)于CCD EBSD來(lái)講，采集速度要達(dá)到1000點(diǎn)/秒，需要用到較大的像素合并，然而，合并之后80x60像素的花樣清晰度變差，很難達(dá)到實(shí)際應(yīng)用的需求。而對(duì)于C-Swift來(lái)講，1000點(diǎn)/秒速度條件下，156x128像素的花樣清晰度足夠滿(mǎn)足EBSD標(biāo)定和采集面分布圖的需求，非常適合實(shí)際樣品的數(shù)據(jù)采集。

C-Swift是CMOS探測(cè)器家族的新成員，專(zhuān)為常規(guī)材料分析和快速樣品表征而設(shè)計(jì)。
C-Swift繼承了Symmetry的許多優(yōu)點(diǎn)，包括為EBSD專(zhuān)門(mén)定制CMOS傳感器。這些優(yōu)點(diǎn)使得C-Swift也成為一種開(kāi)創(chuàng)性的EBSD探測(cè)器。

C-Swift是一個(gè)先進(jìn)、高速EBSD探測(cè)器。與Symmetry探測(cè)器一樣，C-Swift使用定制的CMOS傳感器來(lái)實(shí)現(xiàn)高速和高靈敏度，以確保即使在更具挑戰(zhàn)性的材料上也能獲得高質(zhì)量的結(jié)果。

C-Swift速度高達(dá)1000pps，同時(shí)可獲得高質(zhì)量的花樣分辨率(156x128像素）。這相當(dāng)于基于CCD的探測(cè)器以相似速度運(yùn)行時(shí)所采集花樣像素?cái)?shù)的4倍，確保所有類(lèi)型樣品的可靠標(biāo)定和高命中率。無(wú)失真光學(xué)系統(tǒng)與AZtec軟件中強(qiáng)大的標(biāo)定算法結(jié)合，使C-Swift能夠提供優(yōu)于0.05°的高角度精度。對(duì)于需要更高質(zhì)量花樣的應(yīng)用,  C-Swift可以以高達(dá)250pps的速度采集622x512像素的花樣，使其成為復(fù)雜的多相樣品和精細(xì)的相分析的理想選擇。

這是專(zhuān)為快速、有效的樣品表征而設(shè)計(jì)的探測(cè)器。系統(tǒng)的每個(gè)組件，從獨(dú)特的接近傳感器到可選的集成前置探測(cè)器，都經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì), 旨在更大限度地提高性能和易用性, 并使EBSD成為每個(gè)實(shí)驗(yàn)室的標(biāo)準(zhǔn)工具。

• 確保1000 點(diǎn)/秒的標(biāo)定速度

• 在250點(diǎn)/秒速度下，采集622x512像素的EBSD花樣

• 對(duì)低能量和低束流分析具有非常高的靈敏度

• 無(wú)失真圖像

當(dāng)速度是關(guān)鍵時(shí)，C-Swift探測(cè)器達(dá)到了一個(gè)新標(biāo)準(zhǔn)：

• 僅需要12nA的電子束流，就能保證1000pps的標(biāo)定速度

• 高速下的156x128像素的花樣分辨率——同等速度下快速CCD探測(cè)器的4倍

• 全分辨率花樣（622x512像素）——精細(xì)的相分析和形變分析的理想選擇

• 低失真光學(xué)系統(tǒng), 確保角度精度優(yōu)于0.05°

• 優(yōu)化的高靈敏度熒光屏, 確保低劑量和低束流能量下的高質(zhì)量的花樣——實(shí)現(xiàn)更大的空間分辨率

• 即使在快速下也能實(shí)現(xiàn)無(wú)縫的EDS集成

• 波紋管SEM接口，保持SEM真空完整性

• 獨(dú)特的接近傳感器——在可能發(fā)生的碰撞發(fā)生之前自動(dòng)將探測(cè)器移動(dòng)到安全位置

• 簡(jiǎn)單直觀的探測(cè)器設(shè)置，確保每次都能獲得良好的效果

• 五個(gè)集成的前置探測(cè)器, 提供全彩色通道襯度圖像和原子序數(shù)襯度圖像

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