本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直流四探針法測量鍺單晶電阻率的方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點(diǎn)的最近距離二者均大于探針間距的4倍鍺單晶的電阻率及測量直徑大于探針間距的10倍、厚度小于探針間距4倍鍺單晶圓片的電阻率。測量范圍為1×10-3Ω?cm~1×102Ω?cm。
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