GB/T 1558-2009
硅中代位碳原子含量.紅外吸收測(cè)量方法
Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption
GBT1558-2009, GB1558-2009
2024-07
哪些標(biāo)準(zhǔn)引用了GB/T 1558-2009
GB/T 12963-2022 電子級(jí)多晶硅GB/T 41652-2022 刻蝕機(jī)用硅電極及硅環(huán)GB/T 32279-2015 硅片訂貨單格式輸入規(guī)范YS/T 1061-2015 改良西門(mén)子法多晶硅用硅芯GB/T 12963-2014 電子級(jí)多晶硅YS/T 985-2014 硅拋光回收片GB/T 29508-2013 300mm 硅單晶切割片和磨削片GB/T 29506-2013 300mm 硅單晶拋光片GB/T 29504-2013 300mm 硅單晶GB/T 29054-2012 太陽(yáng)能級(jí)鑄造多晶硅塊YS/T 840-2012 再生硅料分類(lèi)和技術(shù)條件GB/T 25076-2010 太陽(yáng)電池用硅單晶GB/T 25074-2010 太陽(yáng)能級(jí)多晶硅GB/T 24581-2009 低溫傅立葉變換紅外光譜法測(cè)量硅單晶中III、V族雜質(zhì)含量的測(cè)試方法GB/T 12963-2009 硅多晶
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- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- GB/T 1558-2009
- 別名
- GBT1558-2009
GB1558-2009 - 發(fā)布
- 2009年
- 采用標(biāo)準(zhǔn)
- SEMI MF 1391-0704 MOD
- 發(fā)布單位
- 國(guó)家質(zhì)檢總局
- 替代標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 1558-2023
- 當(dāng)前最新
- GB/T 1558-2023
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 14264-2009 GB/T 6618-2009
- 被代替標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 1558-1997
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅中代位碳原子含量的紅外吸收測(cè)量方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于電阻率高于3Ω?cm的p型硅片及電阻率高于1Ω?cm的n型硅片中代位碳原子含量的測(cè)定，對(duì)于精密度要求不高的硅片，可以測(cè)量電阻率高于0.1Ω?cm的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在間隙位置，因而本方法不能測(cè)定總碳含量。 也適用于硅多晶中代位碳原子含量測(cè)定，但其晶粒界間區(qū)的碳同樣不能測(cè)定。...