GB/T 1558-2009
硅中代位碳原子含量.紅外吸收測量方法
Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption
GBT1558-2009, GB1558-2009
2024-07
說明：
- 此圖僅顯示與當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)最近的5級引用；
- 鼠標(biāo)放置在圖上可以看到標(biāo)題編號；
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- 表示標(biāo)準(zhǔn)的節(jié)點，可以拖動；
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- 標(biāo)準(zhǔn)號
- GB/T 1558-2009
- 別名
- GBT1558-2009
GB1558-2009 - 發(fā)布
- 2009年
- 采用標(biāo)準(zhǔn)
- SEMI MF 1391-0704 MOD
- 發(fā)布單位
- 國家質(zhì)檢總局
- 替代標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 1558-2023
- 當(dāng)前最新
- GB/T 1558-2023
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 14264-2009 GB/T 6618-2009
- 被代替標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 1558-1997
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅中代位碳原子含量的紅外吸收測量方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于電阻率高于3Ω?cm的p型硅片及電阻率高于1Ω?cm的n型硅片中代位碳原子含量的測定，對于精密度要求不高的硅片，可以測量電阻率高于0.1Ω?cm的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在間隙位置，因而本方法不能測定總碳含量。 也適用于硅多晶中代位碳原子含量測定，但其晶粒界間區(qū)的碳同樣不能測定。...