ASTM F616M-96(2003)
測量MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)排漏電流的標準測試方法(米制單位)

Standard Test Method for Measuring MOSFET Drain Leakage Current (Metric)

作廢

2009-12

適用范圍: 1.1 本測試方法涵蓋MOSFET（注1）漏極漏電流的測量。注18212；MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體的縮寫； FET 是場效應(yīng)晶體管的縮寫。
1.2 本測試方法適用于所有增強型和耗盡型 MOSFET。該測試方法規(guī)定了正電壓和電流，特別適用于 n 溝道 MOSFET。負電壓和負電流的替代使得該方法直接適用于p溝道MOSFET。
1.3 本直流測試方法適用于漏極電壓大于0 V但小于漏極擊穿電壓的范圍。
1.4 本標準并不旨在解決與其使用相關(guān)的所有安全問題（如果有）。本標準的使用者有責(zé)任在使用前建立適當?shù)陌踩徒】祵嵺`并確定監(jiān)管限制的適用性。

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