ASTM F616M-96(2003)
測(cè)量MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)排漏電流的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法(米制單位)

Standard Test Method for Measuring MOSFET Drain Leakage Current (Metric)

作廢

ASTM F616M-96(2003) 發(fā)布?xì)v史

ASTM F616M-96(2003)由美國(guó)材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì) US-ASTM 發(fā)布于 1996，于 2009-12-01 廢止。

ASTM F616M-96(2003) 在中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類中歸屬于: L42 半導(dǎo)體三極管。

ASTM F616M-96(2003) 測(cè)量MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)排漏電流的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法(米制單位)的最新版本是哪一版？

最新版本是 ASTM F616M-96(2003) 。

ASTM F616M-96(2003) 發(fā)布之時(shí)，引用了標(biāo)準(zhǔn)

• ASTM E178 進(jìn)行遠(yuǎn)距離觀測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)操作規(guī)程

ASTM F616M-96(2003)的歷代版本如下：

• 1996年 ASTM F616M-96(2003) 測(cè)量MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)排漏電流的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法(米制單位)
• 1996年 ASTM F616M-96 測(cè)量MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)排漏電流的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法(米制單位)

 

1.1 本測(cè)試方法涵蓋MOSFET（注1）漏極漏電流的測(cè)量。注18212；MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體的縮寫(xiě)； FET 是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的縮寫(xiě)。

1.2 本測(cè)試方法適用于所有增強(qiáng)型和耗盡型 MOSFET。該測(cè)試方法規(guī)定了正電壓和電流，特別適用于 n 溝道 MOSFET。負(fù)電壓和負(fù)電流的替代使得該方法直接適用于p溝道MOSFET。

1.3 本直流測(cè)試方法適用于漏極電壓大于0 V但小于漏極擊穿電壓的范圍。

1.4 本標(biāo)準(zhǔn)并不旨在解決與其使用相關(guān)的所有安全問(wèn)題（如果有）。本標(biāo)準(zhǔn)的使用者有責(zé)任在使用前建立適當(dāng)?shù)陌踩徒】祵?shí)踐并確定監(jiān)管限制的適用性。

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)

ASTM F616M-96(2003)

發(fā)布

1996年

發(fā)布單位

美國(guó)材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì)

當(dāng)前最新

ASTM F616M-96(2003)

 

 

引用標(biāo)準(zhǔn)

ASTM E178

專題

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