共找到 560 條與 基礎標準與通用方法 相關(guān)的標準,共 38 頁
本文件規(guī)定了與高低溫試驗箱(以下簡稱“試驗箱”)相關(guān)的技術(shù)要求、使用和安裝條件、主要檢驗儀器與裝置、檢驗方法、檢驗規(guī)則、標志、使用說明書以及包裝、運輸、貯存等內(nèi)容。 本文件適用于對產(chǎn)品、零部件、材料在研發(fā)、生產(chǎn)、檢驗等過程中進行高溫或低溫試驗,以及高低溫循環(huán)試驗、溫度沖擊試驗的試驗箱。類似的溫度試驗箱參照執(zhí)行。
High and low temperature test chamber technical conditions
本文件界定了與快速檢測相關(guān)的術(shù)語與定義。 本文件適用于快速檢測方法、快速檢測產(chǎn)品等快速檢測相關(guān)領域。
Rapid detection—Terms and definitions
本文件界定了與數(shù)碼照相機的技術(shù)要求、試驗方法以及與數(shù)碼照相機的使用相關(guān)的術(shù)語和定義。 本文件適用于與數(shù)碼照相機相關(guān)的標準制定、文件編制、教材撰寫、書刊編輯和文獻翻譯等。
Digital camera—Vocabulary
Automation systems and integration—Physical device control—Data model for computerized numerical controllers—Part 13: Process data for wire electrical discharge machining (wire-EDM)
Characterization of gold nanorods—Part 3: Measurement method of surface charge density
Nanotechnology—Nanobiological effects of nanomaterials—NMR-based metabolomics
"Characterization of gold nanorods—Part 3: Measurement method of surface charge density"
Nanotechnology—Test method for size of nanoparticles—Atomic force microscopy
本標準規(guī)定了用于評價多壁碳納米管宏觀樣品基本特性和雜質(zhì)組成的測試技術(shù),并且側(cè)重于在工業(yè)領域可以實現(xiàn)的上述基本特性的測試技術(shù)。 本標準適用于多壁碳納米管材料研究、開發(fā)和商業(yè)化的材料表征。 本標準技術(shù)內(nèi)容不包含樣品具體的制備和測試方法。
Nanotechnologies.Characterization of multiwall carbon nanotube(MWCNT)
本標準規(guī)定了在空氣氣氛下使用TGA對含單壁碳納米管樣品進行表征的方法。 本標準適用于通過定量測試材料中非碳雜質(zhì)(如金屬催化劑)含量進行單壁碳納米管樣品的純度評價,和對含單壁碳納米管樣品熱穩(wěn)定性和均一性進行品質(zhì)評價。 本標準不適用于確認單壁碳納米管的存在和核實金屬雜質(zhì)組成。
Nanotechnologies.Characterization of single-wall carbon nanotubes using thermogravimetric analysis
GB/T 32671的本部分規(guī)定了利用電學和聲學方法在分散體系、乳狀液、含有液體分散介質(zhì)的多孔材料等非勻相體系中測定zeta電位的方法。 這種方法并不限定zeta電位值和分散相的質(zhì)量分數(shù),適用于稀釋和濃縮體系;顆粒尺寸和孔隙尺寸限制在微米量級或更小,而對顆粒和孔隙的幾何形狀不做限定。本部分不包括平面上的zeta電位測量方法。 液體分散介質(zhì)可以是水相,也可以是具有任意的液體電導率、介電常數(shù)或化學成分的非水相;顆粒自身可以導電也可以不導電;雙電層可以分離也可以互相重疊,雙電層的厚度或其他性質(zhì)均沒有限制。 本部分適用于電場中的線性效應,并假定表面電荷沿著界面均勻分布。 本部分不適用于與含有空間電荷分布的軟表面層相關(guān)的效應。
Colloidal systems—Methods for zeta potential determination—Part 1: Electroacoustic and electrokinetic phenomena
本標準規(guī)定了氣相色譜-單四極質(zhì)譜儀性能測定的方法。 本標準適用于氣相色譜-單四極質(zhì)譜儀性能的測定。
Method of performance testing for gas chromatography-single quadrupole mass pectrometry
本標準規(guī)定了原子熒光光譜儀性能測定的方法。 本標準適用于原子熒光光譜儀性能的測定。
Method of performance testing for atomic fluorescence spectrometer
本標準界定了分析儀器性能測定的相關(guān)術(shù)語和定義。 本標準適用于涉及電子光學儀器、質(zhì)譜儀器、X射線儀器、光譜儀器、色譜儀器、波譜儀器、電化學儀器、光學顯微鏡及圖像分析儀器、熱分析儀器9大類分析儀器性能指標測定的各級標準、技術(shù)文件、書刊的編寫。
Terminology of performance testing for analytical instrument
本標準規(guī)定了用氣相色譜-電子捕獲檢測器(ECD)測定農(nóng)殘分析用化合物的方法。 本標準適用于農(nóng)藥殘留分析用高純?nèi)軇┲泻u素等電負人性強的特性指標的測定。
Highly purified compound.Reagent for pesticide residue analysis.Method of the gas chromatography with electron capture detector(ECD)
本標準規(guī)定了熱重法測定樣品揮發(fā)速率的方法。本標準適用于使用熱重分析儀測試25 ℃~500 ℃溫度區(qū)間,單一揮發(fā)組分的揮發(fā)速率。本標準適用于測試揮發(fā)速率大于5 μg/min的樣品。本標準的使用者有責任確定是否需重復測試以及重復測試的次數(shù),從而達到使用要求。本標準不包括與其使用相關(guān)的所有安全問題。在使用本標準方法之前,使用者有責任建立適當?shù)陌踩c健康規(guī)范,并確認規(guī)范的適用性。
Test method for volatility rate by thermogravimetry
本標準規(guī)定了多接收電感耦合等離子體質(zhì)譜法分別測定水中鋅、鉛同位素豐度比的方法。本標準適用于經(jīng)過化學提純后轉(zhuǎn)化為硝酸水溶液的鋅、鉛天然同位素豐度樣品的測定,樣品的檢測范圍為鋅含量5 ng/g~3 000 ng/g、鉛含量0.5 ng/g~500 ng/g。
Determination of zinc and lead isotopic ratios in aqueous solution.Multiple-collectors inductively coupled plasma mass spectrometry
本標準規(guī)定了基于多種技術(shù)和應用領域標準進行科學合理分類和管理的制造業(yè)信息化標準體系結(jié)構(gòu)。本標準適用于制造業(yè)信息化公共服務平臺的開發(fā)和應用以及信息化系統(tǒng)集成,為各層次應用工程實施提供標準化支撐。
Manufacturing information standard architecture
本標準規(guī)定了采用分子光譜多元校正定量測定樣品成(組)分濃度(含量)或樣品性質(zhì)的指導原則。本標準適用于中紅外光譜(約4000 cm~400 cm)和近紅外光譜(約780 nm~2500 nm)范圍的分子光譜。
Standard guidelines for molecular spectroscopy multivariate calibration quantitative analysis
本標準規(guī)定了利用Si(111)唱面原子臺階高度樣品校準原子力顯微鏡=向標度的測量方法。 本標準適用于在大氣或真空環(huán)境下工作的原子力顯微鏡,并且其=向放大倍率達到最大量級,即>向位移在納米和亞納米范圍內(nèi),這是原子力顯微鏡用于檢測半導體表面,光學器件表面和其他高科技元件表面中經(jīng)常用到的檢測范圍。 本標準并未指出所有可能的安全問題,在應用本標準之前,使用者有責任采取適當?shù)陌踩徒】荡胧?并保證符合國家有關(guān)法規(guī)規(guī)定的條件。 注:本標準中以國際單位制規(guī)定的數(shù)值作為標準值,括號內(nèi)插人的數(shù)值僅供參考。
Test method for calibrating the z-magnification of an atomic force microscope at subnanometer displacement levels using Si(111) monatomic steps
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