GB 13539.4-1992
低壓熔斷器 半導(dǎo)體器件保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求
Low-voltage fuses Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices
2006-04
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- GB 13539.4-1992
- 發(fā)布
- 1992年
- 總頁數(shù)
- 20頁
- 發(fā)布單位
- 國家質(zhì)檢總局
- 替代標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 13539.4-2005
- 當(dāng)前最新
- GB/T 13539.4-2016
- 適用范圍
- 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體器件保護(hù)用熔斷體的額定值、正常使用下的溫升、耗散功率、時(shí)間-電流特性、分?jǐn)嗄芰Α⒔財(cái)嚯娏魈匦?、I2t特性、電弧電壓特性、試驗(yàn)和標(biāo)志。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于交流額定電壓不超過1200V或直流額定電壓不超過1500V的電路中具有半導(dǎo)體器件的設(shè)備上使用的熔斷體。 注：①在多數(shù)情況下，以組合設(shè)備的一部分作為熔斷體的底座。由于設(shè)備種類繁多，難以作出一般的規(guī)定。組合設(shè)備是否適合用作熔斷體的底座，應(yīng)由用戶與制造廠協(xié)商。但是，當(dāng)采用獨(dú)立的熔斷器底座或支持件時(shí)，則它們應(yīng)符合GB13539.1的有關(guān)規(guī)定。 ②這種熔斷體通常稱為“半導(dǎo)體熔斷體”。