GB/T 24578-2015
硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測(cè)試方法

Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-Ray fluorescence spectroscopy

GBT24578-2015, GB24578-2015

被代替

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)

GB/T 24578-2015

別名

GBT24578-2015, GB24578-2015

發(fā)布

2015年

總頁數(shù)

13頁

發(fā)布單位

國家質(zhì)檢總局

替代標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 24578-2024

當(dāng)前最新

GB/T 24578-2024

 

 

引用標(biāo)準(zhǔn)

GB 50073-2013 GB/T 14264

被代替標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 24578-2009

適用范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了使用全反射X光熒光光譜，定量測(cè)定硅拋光襯底表面層的元素面密度的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅單晶拋光片、外延片（以下稱硅片），尤其適用于硅片清洗后自然氧化層，或經(jīng)化學(xué)方法生長(zhǎng)的氧化層中沾污元素面密度的測(cè)定，測(cè)定范圍為10⁹ atoms/cm²~10¹⁵ atoms/cm² 。本標(biāo)準(zhǔn)同樣適用于其他半導(dǎo)體材料，如砷化鎵、碳化硅、SOI等鏡面拋光晶片表面金屬沾污的測(cè)定。 對(duì)良好的鏡面拋光表面，可探測(cè)深度約5nm，分析深度隨表面粗糙度的改善而增大。 本方法可檢測(cè)元素周期表中原子序數(shù)16(S)~92(U)的元素，尤其適用于測(cè)定以下元素：鉀、鈣、鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、砷、鉬、鈀、銀、錫、鉭、鎢、鉑、金、汞和鉛。 本方法的檢測(cè)限取決于原子序數(shù)、激勵(lì)能、激勵(lì)X射線的光通量、設(shè)備的本底積分時(shí)間以及空白值。對(duì)恒定的設(shè)備參數(shù)，無干擾檢測(cè)限是元素原子序數(shù)的函數(shù)，其變化超過兩個(gè)數(shù)量級(jí)。重復(fù)性和檢測(cè)限的關(guān)系見附錄A。 本方法是非破壞性的，是對(duì)其他測(cè)試方法的補(bǔ)充，與不同表面金屬測(cè)試方法的比較及校準(zhǔn)樣品的標(biāo)定參見附錄B。

專題

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