ISO 12406:2010
表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜分析法.硅中砷的深度剖析法
Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Method for depth profiling of arsenic in silicon
- 標(biāo)準(zhǔn)號
- ISO 12406:2010
- 發(fā)布
- 2010年
- 總頁數(shù)
- 20頁
- 發(fā)布單位
- 國際標(biāo)準(zhǔn)化組織
- 當(dāng)前最新
- ISO 12406:2010
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- ISO 14237:2010 ISO 18114:2003 ISO 18115-1
- 適用范圍
- 本國際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了使用扇形磁質(zhì)譜儀或四極桿質(zhì)譜儀對硅中砷進(jìn)行深度分析的二次離子質(zhì)譜方法，并使用觸針輪廓測量法或光學(xué)干涉測量法進(jìn)行深度校準(zhǔn)。 該方法適用于砷原子濃度在 1 × 1016 原子/cm3 至 2.5 × 1021 原子/cm3 之間的單晶、多晶或非晶硅樣品，以及坑深度為 50 nm 或更深的樣品。