精品国产亚洲一区二区三区大结局,日韩国产码高清综合,国产精品丝袜综合区另类,久久午夜无码午夜精品

DLA SMD-5962-00521 REV E-2008
單片硅互補(bǔ)開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng),耐輻射數(shù)字線性微電路

MICROCIRCUIT, DIGITAL-LINEAR, RADIATION HARDENED, COMPLEMENTARY SWITCH FET DRIVER, MONOLITHIC SILICON

作廢

標(biāo)準(zhǔn)號(hào): DLA SMD-5962-00521 REV E-2008
發(fā)布: 2008年
發(fā)布單位: 美國國防后勤局

DLA SMD-5962-00521 REV E-2008相似標(biāo)準(zhǔn)

DLA SMD-5962-00521 REV D-2003 單片硅輻射硬化數(shù)字非線性微電路互補(bǔ)開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)器 GJB 8118-2013 軍用電子元器件分類與代碼 DLA SMD-5962-00521 REV F-2013 微電路、數(shù)字線性、互補(bǔ)開關(guān) FET 驅(qū)動(dòng)器、單片硅 T/CASAS 002-2021 寬禁帶半導(dǎo)體術(shù)語 DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 硅單片雙金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)器線性微電路

推薦

RF前端需要怎樣的工藝和技術(shù)？（三）

一般來說，二者將會(huì)相互補(bǔ)充。在最苛刻的應(yīng)用中獲勝的是RF MEMS，RF SOI贏得其余的應(yīng)用。”Racanelli說：“RF SOI會(huì)繼續(xù)發(fā)展，因此對(duì)于RF開關(guān)應(yīng)用和部分低噪聲放大器市場(chǎng)而言，RF SOI仍然是可行的。然而，有一些應(yīng)用，例如用于低噪聲放大器的SiGe和用于開關(guān)的MEMS替代技術(shù)可以提供更好的線性度和更低的損耗。...

Copyright ?2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP備07018254號(hào) 京公網(wǎng)安備1101085018 電信與信息服務(wù)業(yè)務(wù)經(jīng)營許可證：京ICP證110310號(hào)

| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |