ASTM E1162-87(1996)
二次離子質(zhì)譜法(SIMS)中報(bào)告濺射深度截面數(shù)據(jù)

Standard Practice for Reporting Sputter Depth Profile Data in Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS)

被代替

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)

ASTM E1162-87(1996)

發(fā)布

1987年

發(fā)布單位

美國(guó)材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì)

替代標(biāo)準(zhǔn)

ASTM E1162-87(2001)

當(dāng)前最新

ASTM E1162-11(2019)

 

 

適用范圍

1.1 本實(shí)踐涵蓋了描述和報(bào)告儀器、樣本參數(shù)、實(shí)驗(yàn)條件和數(shù)據(jù)縮減程序所需的信息。 SIMS 濺射深度剖面可以使用各種主束激發(fā)條件、質(zhì)量分析、數(shù)據(jù)采集和處理技術(shù)來獲得 (1-4)。
1.2 限制8212；這種做法僅限于傳統(tǒng)的濺射深度剖面，其中信息是平均的樣本平面上的分析區(qū)域。允許分析區(qū)域內(nèi)二次離子橫向空間分辨率的離子微探針或顯微鏡技術(shù)（例如圖像深度分析）被排除在外。
1.3 本標(biāo)準(zhǔn)并不旨在解決與其使用相關(guān)的所有安全問題（如果有）。本標(biāo)準(zhǔn)的使用者有責(zé)任在使用前建立適當(dāng)?shù)陌踩徒】祵?shí)踐并確定監(jiān)管限制的適用性。

專題

ASTM E1162-87(1996)相似標(biāo)準(zhǔn)

ASTM E1162-87(1996) 中可能用到的儀器設(shè)備