GB/T 41153-2021
碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的測(cè)定 二次離子質(zhì)譜法
Determination of boron, aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry
GBT41153-2021, GB41153-2021
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- GB/T 41153-2021
- 別名
- GBT41153-2021, GB41153-2021
- 發(fā)布
- 2021年
- 總頁(yè)數(shù)
- 8頁(yè)
- 發(fā)布單位
- 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局、中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
- 當(dāng)前最新
- GB/T 41153-2021
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 14264 GB/T 22461 GB/T 32267
- 適用范圍
- 本文件規(guī)定了碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的二次離子質(zhì)譜測(cè)試方法。 本文件適用于碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的定量分析,測(cè)定范圍為硼含量不小于5×1013 cm-3、鋁含量不小于5×1013cm-3、氮含量不小于5×1015cm-3,元素濃度(原子個(gè)數(shù)百分比)不大于1%。 注1:碳化硅單晶中待測(cè)元素的含量以每立方厘米中的原子數(shù)計(jì)。 注2:碳化硅單晶中釩雜質(zhì)含量的測(cè)定可參照本文件進(jìn)行,測(cè)定范圍為釩含量不小于1×1013 cm-3 。
| 術(shù)語(yǔ) | 描述 |
|---|---|
| 二次離子質(zhì)譜儀 Secondary Ion Mass Spectrometer (SIMS) | 一種用于檢測(cè)表面元素及其濃度的儀器，通過(guò)一次離子轟擊樣品并分析二次離子 |
| 相對(duì)靈敏度因子 Relative Sensitivity Factor | 用于定量分析的標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)，表示待測(cè)元素與參考元素的信號(hào)比例 |
| 主元素硅 Primary Element Silicon | 在碳化硅單晶中占主要成分的元素 |
GB/T 41153-2021 中提到的儀器設(shè)備
| 扇形磁場(chǎng)二次離子質(zhì)譜儀 | 一種用于高靈敏度表面分析的儀器，配備有氧一次離子源和銫一次離子源 |