GB/T 34481-2017
低位錯(cuò)密度鍺單晶片腐蝕坑密度(EPD)的測(cè)量方法
Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices
GBT34481-2017, GB34481-2017
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- GB/T 34481-2017
- 別名
- GBT34481-2017, GB34481-2017
- 發(fā)布
- 2017年
- 總頁數(shù)
- 5頁
- 發(fā)布單位
- 國家質(zhì)檢總局
- 當(dāng)前最新
- GB/T 34481-2017
- 適用范圍
- 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了低位錯(cuò)密度鍺單晶片的腐蝕坑密度(EPD)的測(cè)量方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)試位錯(cuò)密度小于1000個(gè)/平方厘米、直徑為75mm~150mm的圓形鍺單晶片的位錯(cuò)腐蝕坑密度。
| 術(shù)語 | 描述 |
|---|---|
| 位錯(cuò)腐蝕坑 Dislocation Etch Pit | 在鍺單晶片中，由于晶體缺陷（位錯(cuò)）而在化學(xué)腐蝕過程中形成的凹坑。 |
GB/T 34481-2017 中提到的儀器設(shè)備
| 金相顯微鏡 目鏡10×，物鏡20× | 用于在200倍放大下觀察和計(jì)數(shù)腐蝕坑的精密儀器。 |