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GB/T 43965-2024
電子級(jí)正硅酸乙酯

Electronic grade ethyl orthosilicate

GBT43965-2024, GB43965-2024


標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
GB/T 43965-2024
別名
GBT43965-2024, GB43965-2024
發(fā)布
2024年
總頁(yè)數(shù)
19頁(yè)
發(fā)布單位
國(guó)家質(zhì)檢總局
當(dāng)前最新
GB/T 43965-2024
 
 
引用標(biāo)準(zhǔn)
GB 15258 GB 190 GB/T 11446.1 GB/T 14193 GB/T 16804 GB/T 191 GB/T 25915.1 GB/T 26793 GB/T 2828.1 GB/T 3143 GB/T 33145 GB/T 3723 GB/T 5099 GB/T 6680 GB/T 7144 SJ/T 11637 SJ/T 11638 TSG 23
適用范圍
本文件規(guī)定了半導(dǎo)體行業(yè)用電子級(jí)正硅酸乙酯的技術(shù)要求、檢驗(yàn)規(guī)則、型式試驗(yàn)、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸及貯存的要求,描述了試驗(yàn)方法、分析方法與測(cè)定結(jié)果評(píng)價(jià)。本文件適用于沉積二氧化硅的電子級(jí)正硅酸乙酯。
電子級(jí)正硅酸乙酯
Electronic-grade tetraethyl orthosilicate
用于半導(dǎo)體行業(yè)沉積二氧化硅的高純度化合物。
半導(dǎo)體行業(yè)
Semiconductor Industry
涉及微電子器件制造及相關(guān)技術(shù)研究的領(lǐng)域。
正硅酸乙酯
Tetraethyl Orthosilicate (TEOS)
化學(xué)式為Si(OC2H5)4,用于薄膜沉積和絕緣層制備的關(guān)鍵材料。

GB/T 43965-2024 中提到的儀器設(shè)備

氣相色譜儀
火焰離子化檢測(cè)器和電子氣路控制技術(shù)
用于測(cè)定正硅酸乙酯的純度。
ICP-MS
電感耦合等離子體質(zhì)譜儀
SJ/T11637兼容
用于檢測(cè)陽(yáng)離子含量和顆粒數(shù)量。

專(zhuān)題


GB/T 43965-2024相似標(biāo)準(zhǔn)


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