GB/T 43088-2023
微束分析分析電子顯微術金屬薄晶體試樣中位錯密度的測定方法

Method for determination of dislocation density in metallic thin crystal specimens by microbeam analysis and electron microscopy

適用范圍: 利用透射電子顯微鏡測量金屬薄晶體中位錯密度的設備、試樣、測定方法、數據處理、測定結果的不確定度和試驗報告。測定晶粒內不高于 $1\times10^{15}\mathrm{m^{-2}}$ 的位錯密度。測量幾十納米至幾百納米厚度金屬薄晶體試樣中單個晶粒內的位錯密度。

術語	描述
位錯密度 dislocation density	單位體積薄晶體試樣中所含位錯線的總長度。
膜厚 foil thickness	位錯形貌拍攝位置的薄晶體試樣厚度。
截點法 intersect method	將符合要求的網格覆蓋在待測位錯形貌照片上，數出與位錯線相交點的數量。
雙束近似 two-beam approximation	假定只有直射波和一支衍射波被激發(fā)進行電子衍射分析和顯微圖像計算的近似條件。

透射/掃描透射電子顯微鏡系統(tǒng) 配備雙傾試樣臺，或雙傾-轉動試樣臺，具備STEM模式和探測器。	用于測量金屬薄晶體中位錯密度的設備。
數據處理軟件具備長度測量功能。	用于處理透射電子顯微鏡圖像并計算位錯密度的軟件。