本標準適用子與襯底同型外延層厚度的測量,襯底和外延層室溫電阻率應分別小于0.02Ω·cm和大于0.1Ω·cm,可測厚度大于2μm.
? ? ? 碳化硅(SiC)已成為工業(yè)電子領域最重要的寬禁帶半導體之一,由于其高熱導率、高擊穿場強、高電子飽和漂移速率等優(yōu)勢,特別是對于大功率半導體器件,碳化硅優(yōu)于硅,更受青睞。而碳化硅(SiC)外延材料的厚度、背景載流子濃度等參數(shù)直接決定著SiC器件的各項電學性能。因此,碳化硅外延技術(shù)對于碳化硅...
第三代半導體碳化硅材料快速發(fā)展 近年來,5G通信、新能源汽車、光伏行業(yè)推動了第三代半導體材料碳化硅(SiC)技術(shù)的快速發(fā)展。相較于成熟的硅(Si)材料,SiC具有禁帶寬、擊穿電場高、電子飽和遷移率高、熱導率高等優(yōu)良的物理化學特性,是制備高溫、高壓、高頻、大功率器件的理想材料,如電力轉(zhuǎn)換器、光伏...
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