質(zhì)譜質(zhì)量分析器的分類優(yōu)缺點(diǎn)對比
質(zhì)量分析器將帶電離子根據(jù)其質(zhì)荷比加以分離，用于紀(jì)錄各種離子的質(zhì)量數(shù)和豐度。質(zhì)量分析器的兩個主要技術(shù)參數(shù)是所能測定的質(zhì)荷比的范圍（質(zhì)量范圍）和分辨率。
1.三重四極桿（Triple Quadrupole）
全掃描用于檢測離子源產(chǎn)生的離子流中，各種離子的m/z和強(qiáng)度。從全掃描得到的信息可以知道目前色譜中的組分狀態(tài)。這時對簡單的成份可以直接定量；對于復(fù)雜的成分可以做進(jìn)一步的分析。由于ESI離子源能夠產(chǎn)生許多m/z大于3000的離子，但是三重四極桿的m/z上限一般達(dá)不到3000，所以并不是所有離子都被檢測出來。
在儀器內(nèi)部，可以使用Q1或者Q3做全掃描，兩者的差別是混合離子的離子束是否通過了碰撞室Q2。如果使用Q3作為掃描，離子會在Q1、Q2中損失一部分，靈敏度會有一些下降。通常Q3掃描只是用來標(biāo)定Q3的質(zhì)量軸的。不過我們倒是經(jīng)常使用Q3做全掃描，因?yàn)槲覀冃枰裃1開到高分辨模式，Q3開到Unit，Q3的靈敏度反而高一些。
2.離子阱（Ion trap）
離子阱由一對環(huán)形電極（ring electrod）和兩個呈雙曲面形的端蓋電極（end cap electrode）組成。在環(huán)形電極上加射頻電壓或再加直流電壓，上下兩個端蓋電極接地。逐漸增大射頻電壓的最高值，離子進(jìn)入不穩(wěn)定區(qū)，由端蓋極上的小孔排出。因此，當(dāng)射頻電壓的最高值逐漸增高時，質(zhì)荷比從小到大的離子逐次排除并被記錄而獲得質(zhì)譜圖。離子阱質(zhì)譜可以很方便地進(jìn)行多級質(zhì)譜分析，對于物質(zhì)結(jié)構(gòu)的鑒定非常有用。
3.飛行時間（TOF）
TOF的原理是離子在電場作用下加速飛過飛行管道，根據(jù)到達(dá)檢測器的飛行時間不同而被檢測即測定離子的質(zhì)荷比（M/Z）與離子的飛行時間成正比，檢測離子。
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焦點(diǎn)事件
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焦點(diǎn)事件
