鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池研究獲進展
自組裝單分子層（Self-assembled Monolayers，SAMs）材料因具有低耗、低光學損失和高保型性等特點，被廣泛用作空穴選擇性接觸，以實現(xiàn)高效鈣鈦礦、鈣鈦礦/硅疊層太陽能電池的制備。然而，由于SAMs吸附對復雜氧化物表面化學的敏感性，在金屬氧化物（如氧化銦錫，Indium Tin Oxide，ITO）表面上實現(xiàn)均勻且無針孔的單分子層的沉積頗有挑戰(zhàn)性。
近期，中國科學院寧波材料技術與工程研究所研究員葉繼春帶領硅基太陽能及寬禁帶半導體團隊，在前期晶體硅和鈣鈦礦太陽電池研究的基礎上，在鈣鈦礦/硅疊層電池方向取得了新進展。該團隊提出了ITO表面重構的新方法，實現(xiàn)了效率為28.4%的四端鈣鈦礦/硅疊層太陽電池的制備。該工作通過氫氟酸和隨后的紫外臭氧處理方法選擇性地去除ITO表面不需要的末端羥基和水解產物，從而實現(xiàn)ITO表面重構。這種方法可增加ITO表面活性和面積，從而促進高密度SAMs的吸附。此外，所得的氟化表面還可以防止ITO與鈣鈦礦活性層的直接接觸，并鈍化鈣鈦礦的埋底界面。得益于協(xié)同改進的鈣鈦礦成膜、電荷提取、能級排列和界面化學穩(wěn)定性，相應的單結鈣鈦礦太陽電池獲得了21.3%的光電轉換效率和較好的長期運行穩(wěn)定性。科研人員將由重構的ITO制得的半透明電池和遂穿氧鈍化接觸（TOPCon）電池用于四端鈣鈦礦/硅疊層太陽電池的制備，最終獲得了28.4%的效率。
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