響應(yīng)設(shè)備更新政策 | 半導(dǎo)體制造工藝、結(jié)構(gòu)與表征解決方案
半導(dǎo)體制造工藝
電動(dòng)汽車等高新技術(shù)領(lǐng)域?qū)Ω咝?dòng)力轉(zhuǎn)換的需求與日俱增，碳化硅與氮化鎵材料扮演關(guān)鍵性角色,有效降低能耗并提升動(dòng)力轉(zhuǎn)換效率。牛津通過原子層沉積(ALD)與原子層刻蝕(ALE)技術(shù)優(yōu)化了器件工藝。ALD工藝出色的 AlN/Al2O3/SiO2?鈍化薄膜有效降低器件中的閾值電壓漂移。而ALE低損傷與原子等級的厚度精準(zhǔn)控制更對納米等級柵槽的形貌達(dá)成完美的詮釋。
應(yīng)用案例
全自動(dòng)刻蝕和沉積設(shè)備在 3D Sensor 批量生產(chǎn)中的應(yīng)用
原子層沉積（ALD）與原子層刻蝕（ALE）使碳化硅與氮化鎵功率器件更高效
提供?MicroLED?芯片制造解決方案
虛擬實(shí)境 ARVR 光學(xué)衍射組件制造技術(shù)?
篩選低閾值 FET，用于低功耗低溫電子器件
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與表征
摩爾“定律”在過去 50 年間持續(xù)推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)向器件小型化趨勢發(fā)展，對半導(dǎo)體材料、制造工藝和檢測技術(shù)提出了更高要求。EDS 和 EBSD 技術(shù)已被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的微區(qū)結(jié)構(gòu)表征工作，如異物分析、無損膜厚測量、晶粒尺寸分析、應(yīng)變表征、位錯(cuò)類型及密度分析等。
應(yīng)用案例
研究淀積金屬薄膜的晶粒尺寸及均勻性、織構(gòu)
分析化合物半導(dǎo)體外延層中晶體學(xué)缺陷的密度
對半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵層進(jìn)行高分辨率元素成像
快速分析不同位置薄膜生長表面形貌，提供后續(xù)工藝調(diào)整方向
檢測刻蝕前后表面微結(jié)構(gòu)以及表面粗糙度的變化
檢測半導(dǎo)體晶圓的應(yīng)力分布
GaN 晶體中的應(yīng)力場?3D 拉曼成像
多功能328mm焦長光譜儀，配置UV-NIR探測器，可通過拉曼或者光致發(fā)光的方法對晶圓進(jìn)行應(yīng)力，翹曲以及缺陷檢測
