GB/T 4937.34-2024 半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第34部分：功率循環(huán)

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 34: Power cycling

GB/T 4937.35-2024 半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第35部分：塑封電子元器件的聲學(xué)顯微鏡檢查

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 35: Acoustic microscopic examination of plastically encapsulated electronic components

GB/T 4937.26-2023 半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第26部分：靜電放電（ESD）敏感度測(cè)試 人體模型（HBM）

Mechanical and Climatic Test Methods for Semiconductor Devices Part 26: Electrostatic Discharge (ESD) Susceptibility Test Human Body Model (HBM)

GB/T 4587-2023 半導(dǎo)體器件 分立器件 第7部分：雙極型晶體管

Semiconductor Devices Discrete Devices Part 7: Bipolar Transistors

GB/T 42709.19-2023 半導(dǎo)體器件 微電子機(jī)械器件 第19部分：電子羅盤

Semiconductor devices microelectromechanical devices Part 19: Electronic compass

GB/T 4937.23-2023 半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第23部分：高溫工作壽命

Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 23:High temperature operating life

GB/T 42709.5-2023 半導(dǎo)體器件 微電子機(jī)械器件 第5部分：射頻MEMS開關(guān)

Microelectromechanical Devices for Semiconductor Devices Part 5: RF MEMS Switches

GB/T 42709.7-2023 半導(dǎo)體器件 微電子機(jī)械器件 第7部分：用于射頻控制和選擇的MEMS體聲波濾波器和雙工器

Semiconductor devices microelectromechanical devices Part 7: MEMS bulk acoustic wave filters and duplexers for radio frequency control and selection

GB/T 4937.27-2023 半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第27部分：靜電放電（ESD）敏感度測(cè)試 機(jī)器模型（MM）

Mechanical and Climatic Test Methods for Semiconductor Devices Part 27: Electrostatic Discharge (ESD) Susceptibility Test Machine Model (MM)

GB/T 42706.2-2023 電子元器件 半導(dǎo)體器件長(zhǎng)期貯存 第2部分：退化機(jī)理

本文件描述了電子元器件在實(shí)際貯存條件下隨時(shí)間推移的退化機(jī)理和退化方式,以及評(píng)估一般退化機(jī)理的試驗(yàn)方法。通常本文件與IEC6 2

Long-term storage of electronic components and semiconductor devices Part 2: Degradation mechanisms

GB/T 42706.5-2023 電子元器件 半導(dǎo)體器件長(zhǎng)期貯存 第5部分：芯片和晶圓

本文件規(guī)定了單個(gè)芯片、部分晶圓或整個(gè)晶圓,以及帶金屬結(jié)構(gòu)(引入金屬層、植球植柱等)芯片的貯存條件和規(guī)則,同時(shí)為含有芯片或晶圓的通用和專用封裝產(chǎn)品提供了操作指導(dǎo)。 本文件適用于預(yù)計(jì)貯存時(shí)間超過(guò)1 2個(gè)月的芯片和晶圓的長(zhǎng)期貯存。

Long-term storage of electronic components and semiconductor devices - Part 5: Chips and wafers

GB/T 4937.31-2023 半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第31部分：塑封器件的易燃性（內(nèi)部引起的）

Semiconductor Devices Mechanical and Climatic Test Methods Part 31: Flammability of Plastic Encapsulated Devices (Internally Induced)

GB/T 4937.32-2023 半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第32部分：塑封器件的易燃性（外部引起的）

Mechanical and climatic test methods for semiconductor devices Part 32: Flammability of plastic encapsulated devices (externally induced)

GB/T 4937.42-2023 半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第42部分：溫濕度貯存

Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 42:Temperature and humidity storage

GB/T 4937.21-2018 半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第21部分：可焊性

Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 21: Solderability

GB/T 4937.18-2018 半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第18部分：電離輻照(總劑量)

Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 18: Ionizing radiation (total dose)

GB/T 4937.15-2018 半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第15部分：通孔安裝器件的耐焊接熱

Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 15: Resistance to soldering temperature for through-hole mounted devices

GB/T 4937.11-2018 半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第11部分：快速溫度變化 雙液槽法

Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 11: Rapid change of temperature—Two-fluid-bath method

GB/T 4937.17-2018 半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第17部分：中子輻照

Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 17: Neutron irradiation

GB/T 4937.13-2018 半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第13部分：鹽霧

Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 13: Salt atmosphere