接地電阻測(cè)試電位探針

本專題涉及接地電阻測(cè)試電位探針的標(biāo)準(zhǔn)有73條。

國際標(biāo)準(zhǔn)分類中，接地電阻測(cè)試電位探針涉及到半導(dǎo)體材料、絕緣流體、電子元器件綜合、電工器件、金屬材料試驗(yàn)、輸電網(wǎng)和配電網(wǎng)、電學(xué)、磁學(xué)、電和磁的測(cè)量、電工和電子試驗(yàn)、特殊工作條件下用電氣設(shè)備、建筑材料、半導(dǎo)體分立器件、復(fù)合增強(qiáng)材料、電氣工程綜合、有色金屬、電站綜合、導(dǎo)體材料、塑料、電磁兼容性(EMC)。

在中國標(biāo)準(zhǔn)分類中，接地電阻測(cè)試電位探針涉及到電磁計(jì)量、半金屬與半導(dǎo)體材料綜合、無線電計(jì)量、金屬物理性能試驗(yàn)方法、電子元件綜合、基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)和通用方法、低壓配電電器、、基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法、半金屬及半導(dǎo)體材料分析方法、電氣設(shè)備與器具綜合、衛(wèi)生、安全、勞動(dòng)保護(hù)、電力試驗(yàn)技術(shù)、交直流電工儀器記錄儀器、特殊炭素材料、合成樹脂、塑料基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法、特種陶瓷、元素半導(dǎo)體材料、連接器。

國家計(jì)量檢定規(guī)程，關(guān)于接地電阻測(cè)試電位探針的標(biāo)準(zhǔn)

• JJG 508-2004 四探針電阻率測(cè)試儀
• JJG 508-1987 四探針電阻率測(cè)試儀檢定規(guī)程
• JJG 984-2004 接地導(dǎo)通電阻測(cè)試儀

國家質(zhì)檢總局，關(guān)于接地電阻測(cè)試電位探針的標(biāo)準(zhǔn)

• GB/T 6617-2009 硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針法
• GB/T 6617-1995 硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針法
• GB/T 1551-2021 硅單晶電阻率的測(cè)定 直排四探針法和直流兩探針法
• GB/T 26074-2010 鍺單晶電阻率直流四探針測(cè)量方法
• GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直排四探針法
• GB/T 17949.1-2000 接地系統(tǒng)的土壤電阻率、接地阻抗和地面電位測(cè)量導(dǎo)則 第1部分:常規(guī)測(cè)量
• GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測(cè)定 直流兩探針法
• GB/T 28030-2011 接地導(dǎo)通電阻測(cè)試儀

美國材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì)，關(guān)于接地電阻測(cè)試電位探針的標(biāo)準(zhǔn)

• ASTM F397-02 硅棒兩電極探針法電阻率測(cè)試方法
• ASTM F525-00a 使用擴(kuò)散電阻探針測(cè)量硅片電阻率的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法
• ASTM F84-02 測(cè)量硅片電阻率的在線四點(diǎn)探針測(cè)試方法
• ASTM B667-97(2009) 測(cè)量電接觸電阻用探針的結(jié)構(gòu)和使用的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
• ASTM B667-97(2014) 測(cè)量電接觸電阻用探針的結(jié)構(gòu)和使用的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
• ASTM F397-93(1999) 用兩點(diǎn)探針測(cè)定硅棒電阻率的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法
• ASTM B667-97(2003)e1 測(cè)量電接觸電阻用探針的結(jié)構(gòu)和使用的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
• ASTM B667-97(2024) 測(cè)量電接觸電阻用探針的結(jié)構(gòu)和使用的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
• ASTM B667-97(2019) 測(cè)量電接觸電阻用探針的結(jié)構(gòu)和使用的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
• ASTM F108-88e1 硅外延層電阻率的測(cè)定-三探針電壓擊穿法
• ASTM F84-99 測(cè)量硅片電阻率的方法 在線四點(diǎn)探針

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-電子，關(guān)于接地電阻測(cè)試電位探針的標(biāo)準(zhǔn)

• SJ/T 10481-1994 硅外延層電阻率的面接觸三探針.測(cè)試方法
• SJ/T 10314-1992 直流四探針電阻率測(cè)試儀通用技術(shù)條件

SCC，關(guān)于接地電阻測(cè)試電位探針的標(biāo)準(zhǔn)

• ADS TS351 電連接器測(cè)試 測(cè)試探針損壞

美國電氣電子工程師學(xué)會(huì)，關(guān)于接地電阻測(cè)試電位探針的標(biāo)準(zhǔn)

• IEEE 81-1983 接地系統(tǒng)的接地電阻率,接地阻抗及地表電位的測(cè)量指南
• IEEE P81/D11, August 2012 測(cè)量接地系統(tǒng)的接地電阻率、接地阻抗和接地電位的 IEEE 指南
• IEEE Std 81-2012 測(cè)量接地系統(tǒng)的接地電阻率、接地阻抗和接地電位的 IEEE 指南
• IEEE P81/D4, January 2025 IEEE 接地系統(tǒng)接地電阻率、接地阻抗和地表電位測(cè)量指南草案
• IEEE 81-2012 接地系統(tǒng)的接地電阻率,接地阻抗及地表電位測(cè)量的IEEE指南
• IEEE P81/D10, March, 2012 測(cè)量接地系統(tǒng)的接地電阻率、接地阻抗和接地電位的 IEEE 草案指南
• IEEE 81-1962 大地接地電阻和電位梯度測(cè)量指南
• IEEE P81 測(cè)量接地系統(tǒng)的地球電阻率、接地阻抗和地表電位的 IEEE 指南草案
• IEEE P81/D2, December 2023 測(cè)量接地系統(tǒng)的地球電阻率、接地阻抗和地表電位的 IEEE 指南草案
• IEEE Std 81-1983 測(cè)量接地系統(tǒng)的接地電阻率、接地阻抗和接地電位的 IEEE 指南第1部分：常規(guī)測(cè)量
• IEEE Std 81-1962 IEEE 推薦的接地電阻和地球電位梯度測(cè)量指南
• IEEE P81/D3, November 2024 IEEE draft指導(dǎo)手冊(cè)：接地系統(tǒng)地電阻率、地面阻抗和地面電位的測(cè)量方法

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-有色金屬，關(guān)于接地電阻測(cè)試電位探針的標(biāo)準(zhǔn)

• YS/T 602-2007 區(qū)熔鍺錠電阻率測(cè)試方法 兩探針法
• YS/T 602-2017 區(qū)熔鍺錠電阻率測(cè)試方法 兩探針法

美國機(jī)動(dòng)車工程師協(xié)會(huì)，關(guān)于接地電阻測(cè)試電位探針的標(biāo)準(zhǔn)

• SAE TS351-1-1985 TS351 電連接器測(cè)試探針損壞測(cè)試
• SAE TS351-1 TS351測(cè)試電氣連接器測(cè)試探針是否損壞
• SAE J2826-2016 與動(dòng)力驅(qū)動(dòng)部件接觸的雪地車探針測(cè)試
• SAE J2826-2022 與動(dòng)力驅(qū)動(dòng)部件接觸的雪地車探針測(cè)試

韓國科技標(biāo)準(zhǔn)局，關(guān)于接地電阻測(cè)試電位探針的標(biāo)準(zhǔn)

• KS L 1619-2013(2018) 四探針陣列導(dǎo)電陶瓷薄膜電阻率測(cè)試方法
• KS D 0260-1999 四點(diǎn)探針法測(cè)試單晶硅片電阻率的方法
• KS C 0256-2022 四點(diǎn)探針硅晶體及硅片電阻率測(cè)試方法
• KS C 0256-2002(2022) 硅晶體和硅片電阻率的四點(diǎn)探針測(cè)試方法
• KS L 1619-2013(2023) 用四點(diǎn)探針陣列測(cè)試導(dǎo)電陶瓷薄膜電阻率的方法
• KS L 1619-2023 四點(diǎn)探針陣列導(dǎo)電精細(xì)陶瓷薄膜電阻率測(cè)試方法
• KS D 0260-1989(1994) 具有四點(diǎn)探針的單晶硅片的電阻率測(cè)試方法
• KS L 1619-2003 電傳導(dǎo)陶器薄膜電阻率測(cè)定方法.4點(diǎn)探針法
• KS L 1619-2013 電傳導(dǎo)陶器薄膜電阻率測(cè)定方法.4點(diǎn)探針法
• KS C 0256-2002(2017) 具有四點(diǎn)探針的硅晶體和硅晶片的電阻率測(cè)試方法

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-能源電力規(guī)劃，關(guān)于接地電阻測(cè)試電位探針的標(biāo)準(zhǔn)

• DL/T 2553-2022 電力接地系統(tǒng)土壤電阻率、接地阻抗和地表電位測(cè)量技術(shù)導(dǎo)則
• DL/T 253-2012 直流接地極接地電阻、地電位分布、跨步電壓和分流的測(cè)量方法

臺(tái)灣地方標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于接地電阻測(cè)試電位探針的標(biāo)準(zhǔn)

• CNS 5203-1994 接地電阻測(cè)試計(jì)

美國國家標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(huì)，關(guān)于接地電阻測(cè)試電位探針的標(biāo)準(zhǔn)

• ANSI/EIA 364-25E:2017 TP-25E 電連接器探針損壞測(cè)試程序
• ANSI/EIA 364-25C:1998 電連接器.探針損傷試驗(yàn)程序
• ANSI/EIA 364-25D:2010 電連接器的探針損傷試驗(yàn)程序

中國團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于接地電阻測(cè)試電位探針的標(biāo)準(zhǔn)

• T/CASAS 019-2021 微納米金屬燒結(jié)體電阻率測(cè)試方法 四探針法
• T/CSTM 00252-2020 碳纖維體積電阻率試驗(yàn)方法 四探針法
• T/CES 253-2023 電磁兼容與天線試驗(yàn)場(chǎng)地絕緣電阻和接地電阻測(cè)試方法

ECIA - Electronic Components Industry Association，關(guān)于接地電阻測(cè)試電位探針的標(biāo)準(zhǔn)

• RS-364-25A-1983 TP-25A 電連接器探針損壞測(cè)試程序

俄羅斯標(biāo)準(zhǔn)局，關(guān)于接地電阻測(cè)試電位探針的標(biāo)準(zhǔn)

• GOST 24392-1980 單晶硅和鍺.四探針法測(cè)定電阻系數(shù)

西班牙標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會(huì)，關(guān)于接地電阻測(cè)試電位探針的標(biāo)準(zhǔn)

• UNE 22613:1986 地球物理陸地勘探 電阻率法 垂直電測(cè)深
• UNE 22-613-1986 地球物理勘察．電阻率方法．垂直電測(cè)探

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-黑色冶金，關(guān)于接地電阻測(cè)試電位探針的標(biāo)準(zhǔn)

• YB/T 6166-2024 石墨烯薄膜 方塊電阻的測(cè)定 四探針法

日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)調(diào)查會(huì)，關(guān)于接地電阻測(cè)試電位探針的標(biāo)準(zhǔn)

• JIS H 0612:1975 硅單晶片電阻率的測(cè)定方法.四探針法
• JIS K 7194:1994 用四點(diǎn)探針排列法測(cè)定傳導(dǎo)塑料電阻率的測(cè)試方法
• JIS H 0602:1995 用四點(diǎn)探針法對(duì)硅晶體和硅片電阻率的測(cè)試方法

河北省標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于接地電阻測(cè)試電位探針的標(biāo)準(zhǔn)

• DB13/T 5255-2020 石墨烯導(dǎo)電油墨方阻的測(cè)定 四探針法

英國標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(huì)，關(guān)于接地電阻測(cè)試電位探針的標(biāo)準(zhǔn)

• PAS 62203-2000 水位電氣測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)探針墊尺寸和布局指南（1.0 版）

印度尼西亞標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于接地電阻測(cè)試電位探針的標(biāo)準(zhǔn)

• SNI 04-6545.4-2001 1000V交流和1500V直流的低壓配電系統(tǒng)的電氣安全. 防護(hù)測(cè)量的試驗(yàn)、測(cè)量和監(jiān)測(cè)設(shè)備. 第4部分：接地電阻和等電位接地電阻

 

可能用到的儀器設(shè)備